Frma SanDisk Corporation zaprezentowała wielopoziomowe (MLC) pamięci typu NAND flash wykonane w technologii 43 nanometrów (nm), zaprojektowane w Japonii wspólnie z koncernem Toshiba. Przejście na technologię 43 nm umożliwia dwukrotne zwiększenie gęstości upakowania układów w porównaniu do technologii 56 nm, w której wytwarzane są pamięci o pojemności 16 gigabitów (Gb). Dzięki temu spadaną koszty półprzewodników, a utrzymana zostaje wydajność i niezawodność. W drugim kwartale 2008 r. SanDisk zamierza rozpocząć dostawy produktów wykorzystujących jednoukładowe pamięci typu MLC NAND flash o najwyższej dostępnej gęstości upakowania. W pierwszej kolejności pojawią się modele o pojemności 16 gigabitów, a w drugiej połowie roku dołączą wersje 32-gigabitowe.

"Jesteśmy bardzo zadowoleni z rozpoczęcia produkcji nowej generacji układów pamięci MLC NAND flash w technologii 43 nm, ponieważ oferują one korzyści w postaci wyraźnie niższych kosztów." – powiedział dr Randhir Tharuk, wiceprezes ds. technologii i działalności na świecie w firmie SanDisk. "Wśród rozwiązań technologicznych znalazła się opatentowana przez firmę SanDisk architektura All Bit Line (ABL) cechująca się wysoką efektywnością algorytmów programowania. Zastosowaliśmy także strony o rozmiarze 8 kilobajtów (KB), co gwarantuje wysoką wydajność pamięci. Najnowocześniejsze procesy litograficzne, inne nowatorskie rozwiązania produkcyjne oraz zastosowana po raz pierwszy w branży architektura 64-elementowych ciągów NAND przekładają się na niższe koszty w przeliczeniu na megabajt, a także znakomitą wydajność. W 2008 r. będziemy koncentrować się przede wszystkim na nowej technologii 43 nm, dążąc do zaoferowania klientom najlepszych rozwiązań w najkorzystniejszych cenach."

Podczas konferencji International Solid State Circuits Conference 2008 SanDisk i Toshiba przedstawiły wspólne opracowanie na temat pamięci NAND flash 43 nm 16 Gb, omawiające techniczne innowacje zastosowane w tym produkcie.

Pojemniejsze dyski SSD, szybsze układy pamięci
Utrzymując pozycję lidera w dziedzinie rozwoju i produkcji zaawansowanych technologii NAND flash, firma SanDisk przechodzi na procesy produkcyjne 43 nm w zakładach Toshiba Yokkaichi w pobliżu Nagoya w Japonii. SanDisk i Toshiba wspólnie korzystają z mocy produkcyjnych fabryki Yokkaichi, współpracując jednocześnie nad stworzeniem wielu projektów i technologii wykorzystywanych w pamięciach MLC NAND flash. Pamięci flash 43 nm będą początkowo wytwarzane w nowych, otwartych niedawno przez firmy SanDisk i Toshiba zakładach Fab 4, przystosowanych do produkcji z 300-milimetrowych wafli krzemowych. Plany zakładają, że w drugiej połowie roku także zakłady Fab 3 przejdą na proces produkcyjny 43 nm.
Ponadto przewiduje się, że pamięci NAND flash z generacji 43 nm, w połączeniu z nowatorskimi rozwiązaniami SanDisk w dziedzinie systemów oraz sterowników, sprawią, że nowe technologie, np. napędy SSD (Solid State Drives) oraz zarządzane pamięci NAND (np. iNAND), przyczynią się do rozwoju mechanizmów składowania na nośnikach flash na szybko rozwijającym się rynku mobilnym. Tym samym wzmocnią przywództwo firmy SanDisk na rynku alternatywnych, wydajnych linii produktowych.

Strona producenta: www.sandisk.com

Zobacz także:
SanDisk Ultra II – nowe pojemności i większa szybkość działania
SanDisk Photo Album – czytnik kart pamięci podłączany do telewizora
TEST: SanDisk Extreme IV – jak szybkie są nowe karty CF?